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Tonghui同惠TH513半導(dǎo)體C-V特性分析儀TH512
CV曲線掃描分析能力亦能滿足實驗室對半導(dǎo)體材料及功率器件的研發(fā)及分析。
儀器設(shè)計頻率為1kHz-2MHz,VGS電壓可達(dá)±40V,VDS電壓可達(dá)±200V/±1500V/±3000V,足以滿足大多數(shù)功率器件測試。
功能特點
A.一體化測試,集成度高、體積小、效率高
一臺儀器內(nèi)置了LCR數(shù)字電橋、VGS電壓源、VDS電壓源、高低壓切換矩陣以及上位機(jī)軟件,將復(fù)雜的接線、繁瑣的操作集成在支持電容式觸摸的Linux系統(tǒng)內(nèi),操作更簡單。特別適合產(chǎn)線快速化、自動化測試。
B.單管器件測試,10.1寸大屏,四種寄生參數(shù)同屏顯示,讓細(xì)節(jié)一覽無遺
MOSFET或IGBT最重要的四個寄生參數(shù):Ciss、Coss、Crss、Rg,Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測試,10.1寸大屏可同時將測量結(jié)果、等效電路圖、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時顯示,一目了然。
一鍵測試單管器件器件時,無需頻繁切換測試腳位、測量參數(shù)、測量結(jié)果,大大提高了測試效率。
C.列表測試,多個、多芯、模組器件測量參數(shù)同屏顯示
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個單管器件、6芯器件或6模組器件測試,所有測量參數(shù)通過列表掃描模式同時顯示測試結(jié)果及判斷結(jié)果。
D.曲線掃描功能(選件)
在MOSFET的參數(shù)中,CV特性曲線也是一個非常重要的指標(biāo),如下圖
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析,可以以對數(shù)、線性兩種方式實現(xiàn)曲線掃描,可同時顯示多條曲線:同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數(shù)多條曲線。
E.接觸檢查(Contact)功能,提前排除自動化測試隱患
F.快速通斷測試(OP_SH),排除損壞器件
在半導(dǎo)體器件特性測試時,由于半器件本身是損壞件,特別是多芯器件其中一個芯已經(jīng)損壞的情況下,測試雜散電容仍有可能被為合格,而半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通特性才是最重要的特性。
因此,對于本身導(dǎo)通特性不良的產(chǎn)品進(jìn)行C-V特性測試是沒有必要的,不僅僅浪費了測量時間,同時會由于C-V合格而混雜在良品里,導(dǎo)致成品出貨后被退回帶來損失.
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀提供了快速通斷測試(OP_SH)功能,可用于直接判斷器件本身導(dǎo)通性能。
G.模組式器件設(shè)置,支持定制
針對模組式器件如雙路(Dual)MOSFET、多組式IGBT,有些器件會有不同類型芯片混合式封裝;TH510系列CV特性分析儀針對此情況做了優(yōu)化,常見模組式芯片Demo已內(nèi)置,特殊芯片支持定制.
H.簡單快捷設(shè)置
I.10檔分選及可編程HANDLER接口
J.支持定制化,智能固件升級方式
同惠儀器對于客戶而言是開放的,儀器所有接口、指令集均為開放設(shè)計,客戶可自行編程集成或進(jìn)行功能定制,定制功能若無硬件更改,可直接通過固件升級方式更新。
儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級等,都可以通過升級固件(Firmware)來進(jìn)行更新,而無需返廠進(jìn)行。
固件升級非常智能,可以通過系統(tǒng)設(shè)置界面或者文件管理界面進(jìn)行,智能搜索儀器內(nèi)存、外接優(yōu)盤甚至是局域網(wǎng)內(nèi)升級包,并自動進(jìn)行升級
K.解決Ciss、Coss、Crss、Rg產(chǎn)線/自動化系統(tǒng)高速測試精度
同惠電子在電容測試行業(yè)近30年的經(jīng)驗積累,得以在產(chǎn)線、自動化測試等高速高精度測試場合,都能保證電容、電阻等測試精度。
常規(guī)產(chǎn)線測試,提供標(biāo)準(zhǔn)0米測試夾具,直插器件可直接插入進(jìn)行測試,Ciss、Coss、Crss、Rg測試精度高。
針對自動化測試,由于自動化設(shè)備測試工裝通常需要較長連接線,大多自動化設(shè)備生產(chǎn)商在延長測試線時會帶來很大的精度偏差,為此,同惠設(shè)計了2米延長線并內(nèi)置了2米校準(zhǔn),保證Ciss、Coss、Crss、Rg測試精度和0米測試夾具一致。
L.半導(dǎo)體元件寄生電容知識
在高頻電路中,半導(dǎo)體器件的寄生電容往往會影響半導(dǎo)體的動態(tài)特性,所以在設(shè)計半導(dǎo)體元件時需要考慮下列因數(shù)
在高頻電路設(shè)計中往往需要考慮二極管結(jié)電容帶來的影響;MOS管的寄生電容會影響管子的動作時間、驅(qū)動能力和開關(guān)損耗等多方面特性;寄生電容的電壓依賴性在電路設(shè)計中也是至關(guān)重要,以MOSFET為例。
M.標(biāo)配附件
Tonghui同惠TH513半導(dǎo)體C-V特性分析儀TH512
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號 | TH511 | TH512 | TH513 | |||
通道數(shù) | 2(可選配4/6通道) | 2 | ||||
顯示 | 顯示器 | 10.1英寸(對角線)電容觸摸屏 | ||||
比例 | 16:9 | |||||
分辨率 | 1280×RGB×800 | |||||
測量參數(shù) | Ciss、Coss、Crss、Rg,四參數(shù)任意選擇 | |||||
測試頻率 | 范圍 | 1kHz-2MHz | ||||
精度 | 0.01% | |||||
分辨率 | 10mHz 1.00000kHz-9.99999kHz | |||||
100mHz 10.0000kHz-99.9999kHz | ||||||
1Hz 100.000kHz-999.999kHz | ||||||
10Hz 1.00000MHz-2.00000MHz | ||||||
測試電平 | 電壓范圍 | 5mVrms-2Vrms | ||||
準(zhǔn)確度 | ±(10%×設(shè)定值+2mV) | |||||
分辨率 | 1mVrms 5mVrms-1Vrms | |||||
10mVrms 1Vrms-2Vrms | ||||||
VGS電壓 | 范圍 | 0 - ±40V | ||||
準(zhǔn)確度 | 1%×設(shè)定電壓+8mV | |||||
分辨率 | 1mV 0V - ±10V | |||||
10mV ±10V -±40V | ||||||
VDS電壓 | 范圍 | 0 - ±200V | 0 - ±1500V | 0 - ±3000V | ||
準(zhǔn)確度 | 1%×設(shè)定電壓+100mV | |||||
輸出阻抗 | 100Ω,±2%@1kHz | |||||
數(shù)學(xué)運算 | 與標(biāo)稱值的絕對偏差Δ,與標(biāo)稱值的百分比偏差Δ% | |||||
校準(zhǔn)功能 | 開路OPEN、短路SHORT、負(fù)載LOAD | |||||
測量平均 | 1-255次 | |||||
AD轉(zhuǎn)換時間(ms/次) | 快速+:0.56ms(>5kHz) 快速:3.3ms 中速:90ms 慢速:220ms | |||||
最高準(zhǔn)確度 | 0.5%(具體參考說明書) | |||||
Ciss、Coss、Crss | 0.00001pF - 9.99999F | |||||
Rg | 0.001mΩ - 99.9999MΩ | |||||
Δ% | ±(0.000% - 999.9%) | |||||
多功能參數(shù)列表掃描 | 點數(shù) | 50點,每個點可設(shè)置平均數(shù),每個點可單獨分選 | ||||
參數(shù) | 測試頻率、Vg、Vd、通道 | |||||
觸發(fā)模式 | 順序SEQ:當(dāng)一次觸發(fā)后,在所有掃描點測量,/EOM/INDEX只輸出一次 | |||||
步進(jìn)STEP:每次觸發(fā)執(zhí)行一個掃描點測量,每點均輸出/EOM/INDEX,但列表掃描比較器結(jié)果只在最后的/EOM才輸出 | ||||||
圖形掃描 | 掃描點數(shù) | 任意點可選,最多1001點 | ||||
結(jié)果顯示 | 同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數(shù)多條曲線 | |||||
顯示范圍 | 實時自動、鎖定 | |||||
坐標(biāo)標(biāo)尺 | 對數(shù)、線性 | |||||
掃描參數(shù)觸發(fā)方式 | Vg、Vd | |||||
單次 | 手動觸發(fā)一次,從起點到終點一次掃描完成,下個觸發(fā)信號啟動新一次掃描 | |||||
連續(xù) | 從起點到終點無限次循環(huán)掃描 | |||||
結(jié)果保存 | 圖形、文件 |
附件
標(biāo)配 | |||||
配件名稱 | 型號 | ||||
測試夾具 | TH26063B | ||||
測試夾具 | TH26063C | ||||
TH510夾具控制連接電纜 | TH26063D | ||||
TH510測試延長線 | TH26063G |
同惠TH512半導(dǎo)體C-V特性分析儀
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